[实用新型]大角度出光光源及面光源模组有效

专利信息
申请号: 201920020307.6 申请日: 2019-01-07
公开(公告)号: CN209638931U 公开(公告)日: 2019-11-15
发明(设计)人: 王书昶;陈帅;孙智江 申请(专利权)人: 海迪科(南通)光电科技有限公司
主分类号: F21V7/28 分类号: F21V7/28;F21V5/04;F21V9/00;F21V19/00;H01L33/46;G09F9/33
代理公司: 11316 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人: 滑春生<国际申请>=<国际公布>=<进入
地址: 226500江苏省南通*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 实用新型涉及一种大角度出光光源、面光源模组及出光光源的制备方法,大角度出光光源包括LED芯片,LED芯片为倒装结构,LED芯片包括自下而上依次设置的P‑GaN层、发光层、N‑GaN层和衬底,且在LED芯片的底面设置下反射层,在LED芯片的顶面及侧面设置有蓝光复激发层,蓝光复激发层的顶面设置上反射层,蓝光复激发层的四个侧面为全出光区,上反射层顶面为全反射或部分反射区。本实用新型的优点在于:本实用新型中,将反射层直接设置在倒装LED芯片的顶部和底部,LED芯片发出的光被上反射层和下反射层反射,使得光线从LED芯片的四个侧面射出,实现大角度发光;此外,由于本实用新型的大角度出光光源为单独的单体,而非整体在基板上制作反射层,因此,可以贴用于不同的基板。
搜索关键词: 反射层 本实用新型 光源 激发层 顶面 基板 倒装LED芯片 面光源模组 侧面设置 倒装结构 依次设置 直接设置 侧面 出光区 发光层 反射区 全反射 衬底 底面 射出 反射 制备 发光 制作
【主权项】:
1.一种大角度出光光源,其特征在于:包括LED芯片,所述LED芯片为倒装结构,LED芯片包括自下而上依次设置的P-GaN层、发光层、N-GaN层和衬底,且在LED芯片的底面设置下反射层,在LED芯片的顶面及侧面设置有蓝光复激发层,蓝光复激发层的顶面设置上反射层,所述蓝光复激发层的四个侧面为全出光区,上反射层顶面为全反射或部分反射区。/n
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