[实用新型]一种用于改善PECVD晶片成膜均匀性的新型喷头

摘要

本实用新型公开了一种用于改善PECVD晶片成膜均匀性的新型喷头，包括喷头本体，所述喷头本体包括喷头主体、喷头面板和分流板，所述喷头主体的底端设有喷头面板，所述喷头面板的上方设有分流板，且所述分流板设于喷头主体的内部；所述喷头面板上开设有若干个气流孔，所述气流孔为圆形，且所述气流孔的孔径和孔距大小不一。本实用新型通过在喷头面板上开设有若干个气流孔，气流孔为圆形，且气流孔的孔径和孔距大小不一，气流孔的孔径由喷头面板的中心向边缘处逐渐加大或减小，避免了不适当的气流模式所造成晶片薄膜上的膜层厚度不均匀，即中凹或中凸现象，可以实现在较大尺寸的均匀晶片表面得到均匀厚度的薄膜。

主权项

1.一种用于改善PECVD晶片成膜均匀性的新型喷头，包括喷头本体，所述喷头本体包括喷头主体、喷头面板和分流板，所述喷头主体的底端设有喷头面板，所述喷头面板的上方设有分流板，且所述分流板设于喷头主体的内部；其特征在于，所述喷头面板上开设有若干个气流孔，所述气流孔为圆形，且所述气流孔的孔径和孔距大小不一。