[实用新型]双离子束共溅射纳米膜设备有效
申请号: | 201920031842.1 | 申请日: | 2019-01-09 |
公开(公告)号: | CN209619442U | 公开(公告)日: | 2019-11-12 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 伟业智芯(北京)科技有限公司 |
主分类号: | C23C14/46 | 分类号: | C23C14/46 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 102101 北京市延庆区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型公开一种双离子束共溅射纳米膜设备,包括:真空室、左右侧离子源、工件组件、左右侧靶台、辅源、抽气系统、膜厚测量仪等组成。由于采用二个溅射主源、二个靶台、一个辅源,可一直性安装最多八种靶材,实现不破坏真空的情况下连续溅射制备多层薄膜。同时由于有辅源的存在,可在薄膜制备前对镀膜工件进行原位剥离清洗,使得膜质吸附能力强、均匀性好、致密、内应力小,薄膜质量大大提高。 | ||
搜索关键词: | 双离子束 共溅射 纳米膜 靶台 致密 本实用新型 膜厚测量仪 薄膜制备 抽气系统 镀膜工件 多层薄膜 工件组件 均匀性好 连续溅射 吸附能力 离子源 真空室 靶材 溅射 膜质 主源 制备 薄膜 清洗 剥离 | ||
【主权项】:
1.一种双离子束共溅射纳米膜设备,其特征在于,包括:真空室(1),一种金属壳体,本底真空不低于1×10‑5Pa;左侧离子源(3)和右侧离子源(2),分别安装在所述真空室(1)的左右上方,是一种聚焦离子源,可产生聚焦的左侧离子束(31)和右侧离子束(21);工件组件(4),安装在所述真空室(1)的正上方,由电机驱动旋转轴(41),实现安装在所述旋转轴(41)下部的镀膜工件(42)行星旋转;左侧靶台(5)和右侧靶台(6),分别安装在所述真空室(1)的左右中部位置,所述左侧离子束(31)和右侧离子束(21)正好聚焦在左侧靶台(5)和右侧靶台(6)上表面;辅源(7),安装在所述真空室(1)的正后下方,能发射平行或发散辅源离子束(71),对准镀膜工件(42)进行原位剥离清洗;膜厚测量仪(9),安装在镀膜工件(42)位置的侧位,对沉积在所述镀膜工件(42)上表面的薄膜进行膜厚测量;抽气系统(8),安装在所述真空室(1)的正下方,并与所述真空室(1)连通,对真空室(1)抽真空。
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