[实用新型]一种薄层透明紫外光电子器件有效
| 申请号： | 201920033622.2 | 申请日： | 2019-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN209434213U | 公开（公告）日： | 2019-09-24 |
| 发明（设计）人： | 蔡端俊;王跃锦;刘国振 | 申请（专利权）人： | 厦门瑶光半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/112 | 分类号： | H01L31/112;H01L31/0304;H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 杨依展;张迪 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种薄层透明紫外光电子器件，包括：衬底、设置在衬底上的单电导层、设置在单电导层上的势垒绝缘层、设置在势垒绝缘层上的透明电极层、以及与所述单电导层电连接的金属电极；所述势垒绝缘层上具有暴露出单电导层的窗口，所述金属电极通过该窗口与单电导层形成电连接，所述单电导层为n型或p型掺杂的宽禁带半导体层。上述的光电子器件可以实现紫外双面发光，并具有良好的光探测性能，有助于提高发光性能和光探测性能，并减少复杂的制作工艺降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 电导层 势垒绝缘层 透明紫外光 电子器件 金属电极 电连接 光探测 薄层 衬底 宽禁带半导体层 本实用新型 光电子器件 透明电极层 发光性能 双面发光 制作工艺 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种薄层透明紫外光电子器件，其特征在于包括：衬底、设置在衬底上的单电导层、设置在单电导层上的势垒绝缘层、设置在势垒绝缘层上的透明电极层、以及与所述单电导层电连接的金属电极；所述势垒绝缘层上具有暴露出单电导层的窗口，所述金属电极通过该窗口与单电导层形成电连接，所述单电导层为n型或p型掺杂的宽禁带半导体层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
