[实用新型]一种带隙基准电路有效

专利信息
申请号: 201920034512.8 申请日: 2019-01-09
公开(公告)号: CN208969535U 公开(公告)日: 2019-06-11
发明(设计)人: 王昕宇 申请(专利权)人: 上海奥令科电子科技有限公司
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11465 代理人: 李冉
地址: 200000 上海市浦东新区自由贸*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 实用新型公开了一种带隙基准电路,包括:正反馈回路、负反馈回路和发射极跟随电路;所述正反馈回路包括晶体管M1、运算放大器OP1、晶体管M3和运算放大器OP2;所述负反馈回路包括晶体管M2、运算放大器OP1、晶体管M3和运算放大器OP2;本实用新型采用双运放结构,利用了正反馈和负反馈的集合,同时利用发射极跟随电路确保整个电路处于负反馈中,提高了电路的电源抑制比和稳定性;另外,本实用新型结构简单,减低版图的占用面积,降低了工艺成本,提高了集成度。
搜索关键词: 晶体管 本实用新型 发射极跟随电路 放大器 带隙基准电路 负反馈回路 运算放大器 正反馈回路 负反馈 和运算 电路 电源抑制比 工艺成本 集成度 正反馈 运放 集合 占用
【主权项】:
1.一种带隙基准电路,其特征在于,包括:正反馈回路、负反馈回路和发射极跟随电路;所述正反馈回路包括晶体管M1、运算放大器OP1、晶体管M3和运算放大器OP2;所述负反馈回路包括晶体管M2、运算放大器OP1、晶体管M3和运算放大器OP2;所述晶体管M1、所述晶体管M2和所述晶体管M3的源极均与电源电压VDD相连,所述晶体管M1的漏极与所述运算放大器OP1的反相输入端相连,所述晶体管M2的漏极与所述运算放大器OP1的正相输入端相连,所述运算放大器OP1的输出端与所述晶体管M3的栅极相连,所述晶体管M3的漏极与所述运算放大器OP2的反相输入端相连,所述运算放大器OP2的正相输入端与所述晶体管M1相连,所述运算放大器OP2的输出端连接所述晶体管M1的栅极和所述晶体管M2的栅极;所述晶体管M1的栅极连接所述晶体管M2的栅极;所述发射极跟随电路包括三极管Q2和电阻R2,所述三极管Q2的发射极与所述电阻R2的一端相连,所述三极管Q2的集电极与所述运算放大器OP1的正相输入端连接,所述三极管的基极与所述运算放大器OP2的反相输入端连接,所述电阻R2的另一端接地。
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