[实用新型]热处理系统有效
| 申请号： | 201920036517.4 | 申请日： | 2018-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN209981172U | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | J·E·科瓦尔斯基 | 申请（专利权）人： | DSG科技 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 11596 北京易光知识产权代理有限公司 | 代理人： | 耿晓兵 |
| 地址： | 美国加利福尼*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种用于对目标衬底进行退火的热处理系统，所述系统包括：均匀微波场发生器，其被配置成产生均匀微波场；间隔开的两块板，其位于所述均匀微波场发生器内并且定向成在所述均匀微波场内在所述板之间形成电容效应；以及转台装置，其被配置成使所述两块板和所述目标衬底在所述均匀微波场内相对于目标衬底的面内轴而旋转，由此引起来自所述均匀微波场的被施加于所述目标衬底的微波的极性的周期性改变，所述均匀微波场中的傅科电流通过垂直于所述板流动而对所述极性的周期性改变作出反应，从而提供对所述衬底的均匀加热。 | ||
| 搜索关键词： | 均匀微波场 衬底 均匀微波 发生器 退火 本实用新型 热处理系统 电流通过 电容效应 均匀加热 转台装置 面内轴 配置 微波 垂直 施加 流动 | ||
【主权项】：
1.一种热处理系统，其用于对目标衬底进行退火，所述热处理系统包括：/n均匀微波场发生器，其被配置成产生均匀微波场；/n间隔开的两块板，其位于所述均匀微波场发生器内并且定向成在所述均匀微波场内在所述板之间形成电容效应；以及/n转台装置，其被配置成使所述两块板和所述目标衬底在所述均匀微波场内相对于目标衬底的面内轴而旋转，由此引起来自所述均匀微波场的被施加于所述目标衬底的微波的极性的周期性改变。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
