[实用新型]一种提升发光亮度的氮化物发光二极管有效
| 申请号： | 201920057217.4 | 申请日： | 2019-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN209515725U | 公开（公告）日： | 2019-10-18 |
| 发明（设计）人： | 顾伟 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南昌高新技*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种提升发光亮度的氮化物发光二极管，包括衬底，以及依次位于衬底上的缓冲层、非掺杂氮化物层、n型氮化物层、有源层和p型氮化物层；其中：所述有源层是由InxGa1‑xN的阱层和InyAlzGa1‑y‑zN的垒层周期性交替堆叠而形成的多量子阱结构。本实用新型的优点在于：包括第一多量子阱层、第二多量子阱层和第三多量子阱层，其中第一阱层、第二阱层、第三阱层从n型氮化物层至p型氮化物层一侧的铟组分均值减小，并且其铟组分均值x1、x2、x3，符合关系式：x1≤x2的50％，x2≤x3的50％，避免在生长有源层时，因为晶格失配太大导致有源层的晶体质量下降的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 源层 阱层 多量子阱层 氮化物发光二极管 本实用新型 衬底 发光 非掺杂氮化物层 多量子阱结构 周期性交替 晶格失配 质量下降 缓冲层 堆叠 减小 垒层 生长 | ||
【主权项】：
1.一种提升发光亮度的氮化物发光二极管，包括衬底，以及依次位于衬底上的缓冲层、非掺杂氮化物层、n型氮化物层、有源层和p型氮化物层；其特征在于：所述有源层是由InxGa1‑xN的阱层和InyAlzGa1‑y‑zN的垒层周期性交替堆叠而形成的多量子阱结构，所述有源层由生长方向依次包括第一多量子阱层、第二多量子阱层和第三多量子阱层，所述第一多量子阱层为第一阱层和第一垒层由n1个周期交替堆叠而形成、第二多量子阱层为第二阱层和第二垒层由n2个周期交替堆叠而形成、第三多量子阱层为第三阱层和第三垒层由n3个周期交替堆叠而形成，所述n1、n2和n3为正整数且2≤n1、n2、n3≤12。
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