[实用新型]碳化硅UMOSFET器件

摘要

一种碳化硅UMOSFET器件。所述器件自下而上包括漏电极层、N+碳化硅衬底和N‑外延层；N‑外延层具有第一P‑阱区、第一N+注入区、第二P‑阱区、第二N+注入区、第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽；第一栅结构和第二栅结构之间留有第三凹槽的第一底面；第三凹槽底部下方具有多个P+注入区，相邻P+注入区之间具有间隔；第一金属、第二金属和第三金属，第三金属覆盖第一金属和第二金属，同时第三金属填充剩余的第一凹槽、剩余的第二凹槽和剩余的第三凹槽，所述第一金属与间隔的上表面形成肖特基接触。所述器件提升了续流能力，可靠性提高，漏电流减小，开关能力提升。

主权项

1.一种碳化硅UMOSFET器件，其特征在于，自下而上包括漏电极层、N+碳化硅衬底和N‑外延层；N‑外延层具有第一P‑阱区、第一N+注入区、第二P‑阱区、第二N+注入区、第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽；第一凹槽的右侧壁为第一N+注入区和部分高度的第一P‑阱区；第二凹槽的左侧壁为第二N+注入区和部分高度的第二P‑阱区；第三凹槽的左侧壁为第一N+注入区、第一P‑阱区和部分高度的N‑外延层，第三凹槽的右侧壁为第二N+注入区、第二P‑阱区和部分高度的N‑外延层；第一栅结构，覆盖第三凹槽左侧壁和第一N+注入区上表面；第二栅结构，覆盖第三凹槽右侧壁和第二N+注入区上表面；第一栅结构和第二栅结构之间留有第三凹槽的第一底面；第三凹槽底部下方具有多个P+注入区，相邻P+注入区之间具有间隔；第一金属，第一金属覆盖第一凹槽和第二凹槽表面，第一金属与第一N+注入区和第一P‑阱区形成第一欧姆接触，第一金属与第二N+注入区和第二P‑阱区也形成第一欧姆接触；第二金属，第二金属与间隔的上表面形成肖特基接触，第二金属与P+注入区形成第二欧姆接触；第三金属，第三金属覆盖第一金属和第二金属，同时第三金属填充剩余的第一凹槽、剩余的第二凹槽和剩余的第三凹槽。