[实用新型]一种快速破真空吸嘴有效
| 申请号： | 201920087441.8 | 申请日： | 2019-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN209515633U | 公开（公告）日： | 2019-10-18 |
| 发明（设计）人： | 胡玉勇;马自飞;李伟 | 申请（专利权）人： | 江苏长电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人： | 赵海波;孙燕波 |
| 地址： | 214400 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种快速破真空吸嘴，它包括吸嘴本体(1)，所述吸嘴本体(1)包括底部(1.1)、顶部(1.2)与外壁(1.3)，所述吸嘴本体(1)中心开设有纵向贯通的吸嘴内腔(2)，所述吸嘴本体(1)的外壁(1.3)上开设有泄气孔(9)，所述泄气孔(9)与喷嘴内腔(2)相连通，所述泄气孔(9)远离吸嘴内腔(2)一侧的开口位置处设置有软材片(6)，所述软材片(6)与吸嘴本体(1)外壁(1.3)之间存在间隙。本实用新型一种快速破真空吸嘴，其结构简单，软材片无卡滞可能，随气流变化随时保持堵住或打开泄气孔，可靠性高。 | ||
| 搜索关键词： | 吸嘴本体 吸嘴 泄气孔 破真空 软材 外壁 本实用新型 内腔 开口位置 喷嘴内腔 气流变化 纵向贯通 卡滞 堵住 | ||
【主权项】：
1.一种快速破真空吸嘴，其特征在于：它包括吸嘴本体(1)，所述吸嘴本体(1)包括底部(1.1)、顶部(1.2)与外壁(1.3)，所述吸嘴本体(1)中心开设有纵向贯通的吸嘴内腔(2)，所述吸嘴本体(1)的外壁(1.3)上开设有泄气孔(9)，所述泄气孔(9)与喷嘴内腔(2)相连通，所述泄气孔(9)远离吸嘴内腔(2)一侧的开口位置处设置有软材片(6)，所述软材片(6)与吸嘴本体(1)外壁(1.3)之间存在间隙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
