[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201920090693.6 | 申请日： | 2018-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN209544358U | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 拉尔夫·N·沃尔;李孟佳 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 王娜丽;姚开丽 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种半导体器件，其特征在于，包括：三个端子；三个端子中的两个端子之间的漂移区，其中漂移区包括上漂移层、下漂移层；以及上漂移层和下漂移层之间的多个隐埋结层，其中，中间漂移层将每对相邻隐埋结层分隔开，上漂移层和下漂移层具有第一掺杂类型，每个隐埋结层包括第一材料和第二材料的散布图案，第一材料具有与第一掺杂类型相反的第二掺杂类型，并且第二材料具有第一掺杂类型并且具有与上漂移层和下漂移层不同的掺杂浓度，以及隐埋结层的散布图案相对于彼此不对准。该新颖的隐埋结架构使半导体器件能够通过掺杂材料和反向掺杂材料的散布图案来解决开关损耗和性能退化的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 漂移层 隐埋 掺杂类型 结层 半导体器件 掺杂材料 第二材料 第一材料 漂移区 散布 图案 本实用新型 开关损耗 性能退化 不对准 分隔 掺杂 架构 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：三个端子；所述三个端子中的两个端子之间的漂移区，其中所述漂移区包括上漂移层、下漂移层；以及所述上漂移层和所述下漂移层之间的多个隐埋结层，其中，中间漂移层将每对相邻隐埋结层分隔开，所述上漂移层和所述下漂移层具有第一掺杂类型，每个隐埋结层包括第一材料和第二材料的散布图案，所述第一材料具有与所述第一掺杂类型相反的第二掺杂类型，并且所述第二材料具有所述第一掺杂类型并且具有与所述上漂移层和所述下漂移层不同的掺杂浓度，以及所述隐埋结层的所述散布图案相对于彼此不对准。
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