[实用新型]一种常温单面镀膜单面消影超厚ITO导电膜有效
| 申请号： | 201920094811.0 | 申请日： | 2019-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN209297772U | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 徐风海 | 申请（专利权）人： | 台玻（青岛）光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;G06F3/041 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 266000 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种常温单面镀膜单面消影超厚ITO导电膜，属于光电玻璃技术领域，包括TG基板、镀于TG基板上表面的第一层五氧化二铌膜、镀于第一层五氧化二铌膜上表面的第一层二氧化硅膜、镀于第一层二氧化硅膜上表面的第二层五氧化二铌膜、镀于第二层五氧化二铌膜上表面的第二层二氧化硅膜和镀于第二层二氧化硅膜上表面的ITO导电层，其中，五氧化二铌膜和二氧化硅膜间隔分布组成消影层，并且，ITO导电层的厚度大于消影层的厚度且小于消影层厚度的2倍，五氧化二铌膜和二氧化硅膜间隔分布组成消影层的折射率与玻璃表面接近，该消影层与ITO导电膜相互配合保证了ITO导电膜刻蚀前后的反射差小于0.5%，进而可以在常温下实现超厚ITO导电膜的完全消影。 | ||
| 搜索关键词： | 二氧化硅膜 五氧化二铌 消影层 第一层 上表面 超厚 消影 单面镀膜 间隔分布 本实用新型 基板上表面 玻璃表面 光电玻璃 常温下 折射率 基板 刻蚀 反射 配合 保证 | ||
【主权项】：
1.一种常温单面镀膜单面消影超厚ITO导电膜，其特征在于，所述ITO导电膜包括TG基板、镀于所述TG基板上表面的第一层五氧化二铌膜、镀于所述第一层五氧化二铌膜上表面的第一层二氧化硅膜、镀于所述第一层二氧化硅膜上表面的第二层五氧化二铌膜、镀于所述第二层五氧化二铌膜上表面的第二层二氧化硅膜和镀于所述第二层二氧化硅膜上表面的ITO导电层，其中，五氧化二铌膜和二氧化硅膜间隔分布组成消影层，并且，所述ITO导电层的厚度大于所述消影层的厚度且小于所述消影层厚度的2倍。
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