[实用新型]萧特基二极管倒晶结构有效
| 申请号： | 201920107480.X | 申请日： | 2019-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN209133515U | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 沈主能 | 申请（专利权）人： | 全宇昕科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L29/417;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 张晶;王莹 |
| 地址： | 中国台湾新北市中*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种萧特基二极管倒晶结构，通过通道区的设置，使本实用新型的阳极和阴极能位于同侧，减少本实用新型的厚度，并搭配电流局限带和钝化带的设置，使电流仅在通道区流通，进而发挥萧特基二极管的功用。 | ||
| 搜索关键词： | 本实用新型 二极管 通道区 阴极 阳极 钝化 同侧 搭配 局限 流通 | ||
【主权项】：
1.一种萧特基二极管倒晶结构，其特征在于，包括：基板；磊晶层，设置在所述基板上，并具有通道区；多个主动沟槽，设置在所述磊晶层上并且组成主动区，各所述多个主动沟槽具有沟槽氧化层和半导体层，所述沟槽氧化层形成在所述主动沟槽的侧壁和底部，所述半导体层填满所述主动沟槽；终止沟槽，设置在所述磊晶层上，并邻近于所述主动区并且包括底部、第一侧壁以及第二侧壁，所述第一侧壁、所述第二侧壁以及所述底部具有所述沟槽氧化层和所述半导体层，所述沟槽氧化层形成在所述第一侧壁、所述第二侧壁以及所述底部，所述半导体层覆盖所述第一侧壁和所述第二侧壁的所述沟槽氧化层，并且所述底部的中央处的所述沟槽氧化层的下侧为所述通道区；以及电流局限带，分别设置在所述底部的所述沟槽氧化层上且以所述底部的中央处的所述沟槽氧化层为基准而相对的两侧。
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