[实用新型]图像传感器有效
| 申请号： | 201920108182.2 | 申请日： | 2018-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN209344078U | 公开（公告）日： | 2019-09-03 |
| 发明（设计）人： | U·博提格;S·伯萨克 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 杨雅;姚开丽 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及图像传感器。本实用新型公开了一种图像传感器，该图像传感器包括成像像素的阵列，该成像像素的阵列包括：成像像素，该成像像素包括被滤色器元件覆盖的光敏区域，其中，滤色器元件包括使第一颜色的入射光通过的滤色材料，并且其中，至少一个间隙形成在该滤色器元件的滤色材料的部分之间。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 成像像素 滤色器元件 本实用新型 滤色材料 光敏区域 间隙形成 入射光 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种图像传感器，其特征在于，所述图像传感器包括成像像素的阵列，所述成像像素的阵列包括：成像像素，所述成像像素包括被滤色器元件覆盖的光敏区域，其中，所述滤色器元件包括使第一颜色的入射光通过的滤色材料，并且其中，至少一个间隙形成在所述滤色器元件的所述滤色材料的部分之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于半导体元件工业有限责任公司，未经半导体元件工业有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201920108182.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：光电集成半导体器件及芯片
- 下一篇：一种MICRO LED显示器件
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
