[实用新型]一种带有沟槽结构的高压宽禁带二极管芯片有效
| 申请号： | 201920122961.8 | 申请日： | 2019-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN209216978U | 公开（公告）日： | 2019-08-06 |
| 发明（设计）人： | 黄兴;陈欣璐 | 申请（专利权）人： | 派恩杰半导体（杭州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/861 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310053 浙江省杭州市滨江区浦*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种带有沟槽结构的高压宽禁带二极管芯片。本实用新型通过在有源区和结终端区域引入统一的沟槽结构，使得芯片可以用同一套工艺实现两个区域的加工，大大降低产品加工成本。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽结构 本实用新型 二极管芯片 宽禁带 产品加工成本 工艺实现 结终端 源区 芯片 引入 加工 统一 | ||
【主权项】：
1.一种带有沟槽结构的高压宽禁带二极管芯片，其特征在于，包括：底部阴极电极层（001），重掺杂N型半导体材料层（002），轻掺杂的N型半导体材料层（003），从表面伸入轻掺杂的N型半导体材料层（003）的沟槽结构（004）；所述沟槽结构（004）的底部与侧壁被P型半导体材料（005）包围；所述高压宽禁带二极管芯片分为有源区（A1）与结终端区域（A2），在有源区（A1）顶部设有阳极电极层（006），在结终端区域（A2）顶部设有钝化层（007）。
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