[实用新型]硅基片上叠式变压器结构有效

专利信息
申请号: 201920133619.8 申请日: 2019-01-25
公开(公告)号: CN209434010U 公开(公告)日: 2019-09-24
发明(设计)人: 张任伟;郑雷;祝磊 申请(专利权)人: 广州全盛威信息技术有限公司;北京奕斯伟信息技术有限公司
主分类号: H01F27/28 分类号: H01F27/28;H01F27/29;H01F27/34;H01F27/32;H01F27/06
代理公司: 深圳市宏德雨知识产权代理事务所(普通合伙) 44526 代理人: 李捷
地址: 510000 广东省广州市广州高新技术产业开发*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型提供一种硅基片上叠式变压器结构,其包括硅基片层、下层金属层以及变压器线圈结构;该变压器线圈结构包括主线圈结构、第二绝缘层以及次线圈结构;次线圈结构包括第一外圈部、第二外圈部、内圈部以及连接部;第一外圈部与内圈部的一端连接,内圈部的另一端通过连接部与所述第二外圈部连接;连接部设置在主线圈结构所在金属层上,连接部与主线圈结构错开。本实用新型的硅基片上叠式变压器结构通过次线圈结构以及连接部的设置,可以保证主线圈金属层的正常工作,改善了叠式变压器的品质因子以及耦合系数。
搜索关键词: 叠式变压器 外圈部 主线圈 次线圈 硅基片 内圈 本实用新型 变压器线圈 金属层 绝缘层 下层金属层 硅基片层 品质因子 一端连接 耦合系数 错开 保证
【主权项】:
1.一种硅基片上叠式变压器结构,其特征在于,包括:硅基片层;下层金属层,设置在所述硅基片上,用于构成金属连接器件;变压器线圈结构,通过第一绝缘层设置在所述下层金属层上;其包括:主线圈结构,设置在所述第一绝缘层上,包括主线圈输入接口、主线圈输出接口以及主线圈中间接口;第二绝缘层,设置在所述主线圈结构上,设置在所述主线圈结构以及次线圈结构之间;所述次线圈结构,设置在所述第二绝缘层上,包括次线圈输入接口、次线圈输出接口以及次线圈中间接口;其中所述次线圈结构包括第一外圈部、第二外圈部、内圈部以及连接部;所述第一外圈部与所述内圈部的一端连接,所述内圈部的另一端通过所述连接部与所述第二外圈部连接;所述连接部设置在所述主线圈结构所在金属层上,所述连接部与所述主线圈结构错开。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广州全盛威信息技术有限公司;北京奕斯伟信息技术有限公司,未经广州全盛威信息技术有限公司;北京奕斯伟信息技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201920133619.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top