[实用新型]一种压接型IGBT的封装结构有效
| 申请号： | 201920151824.7 | 申请日： | 2019-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN209249451U | 公开（公告）日： | 2019-08-13 |
| 发明（设计）人： | 邓二平;任斌;李安琦;张一鸣;赵志斌;黄永章 | 申请（专利权）人： | 华北电力大学 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/373 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 程华 |
| 地址： | 100000 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种压接型IGBT的封装结构。该装置包括第一支撑片、散热装置、弹性元件、铜片和IGBT芯片结构；第一支撑片设置在散热装置上，用于支撑安装于压接型IGBT的封装结构上的电子器件；散热装置设置在第一支撑片与铜片之间，用于对IGBT芯片结构散热；弹性元件贯穿设置在散热装置内部，弹性元件一端与第一支撑片连接，另一端与铜片连接；弹性元件用于补偿IGBT芯片结构因发热产生的压力差；铜片设置在散热装置与IGBT芯片结构之间，铜片用于将IGBT芯片结构产生的热量传递至散热装置，还用于将弹性元件的弹力传递至IGBT芯片结构。本实用新型的装置，在实现IGBT芯片表面压力均匀分布的同时能有效的降低芯片表面温度，具有提高IGBT芯片寿命的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 散热装置 弹性元件 铜片 支撑片 封装结构 压接 本实用新型 表面压力 弹力传递 电子器件 结构产生 热量传递 芯片表面 压力差 散热 发热 贯穿 支撑 | ||
【主权项】：
1.一种压接型IGBT的封装结构，其特征在于，包括：第一支撑片、散热装置、弹性元件、铜片和IGBT芯片结构；所述第一支撑片设置在所述散热装置上，所述第一支撑片用于支撑安装于所述压接型IGBT的封装结构上的电子器件；所述散热装置设置在所述第一支撑片与所述铜片之间，所述散热装置用于对所述IGBT芯片结构散热；所述弹性元件贯穿设置在所述散热装置内部，所述弹性元件一端与所述第一支撑片连接，另一端与所述铜片连接；所述弹性元件用于补偿IGBT芯片结构因发热产生的压力差；所述铜片设置在所述散热装置与所述IGBT芯片结构之间，所述铜片用于将所述IGBT芯片结构产生的热量传递至所述散热装置，所述铜片还用于将所述弹性元件的弹力传递至所述IGBT芯片结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华北电力大学，未经华北电力大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201920151824.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种新型芯片用铝质散热器
- 下一篇：一种具有散热性的半导体分立器件
