[实用新型]一种滤波器有效

专利信息
申请号: 201920162559.2 申请日: 2019-01-30
公开(公告)号: CN209282363U 公开(公告)日: 2019-08-20
发明(设计)人: 万晶;梁晓新;阎跃鹏;王霄;邱文才 申请(专利权)人: 广东大普通信技术有限公司
主分类号: H01P1/207 分类号: H01P1/207;H01P1/208;H01P11/00
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 孟金喆
地址: 523808 广东省东莞市松山湖高新技术产*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型公开了一种滤波器,该滤波器包括:至少一个硅腔谐振单元,所述硅腔谐振单元包括依次设置的底层金属层、高阻硅介质层和顶层金属层;每个所述硅腔谐振单元的边缘设置有多个贯穿结构;所述贯穿结构贯穿所述底层金属层、所述高阻硅介质层和所述顶层金属层;所述贯穿结构的内侧表面形成有金属沉积层;所述贯穿结构为通孔和/或通槽;还包括至少一个槽线式阶梯阻抗谐振器,所述槽线式阶梯阻抗谐振器由形成在所述顶层金属层的相互连通的多条槽线组成;所述槽线的深度与所述顶层金属层的厚度相等。本实用新型提供的滤波器,解决了现有滤波器体积较大,不易实现多芯片集成的问题。
搜索关键词: 滤波器 顶层金属层 谐振单元 贯穿 硅腔 阶梯阻抗谐振器 本实用新型 底层金属层 高阻硅介质 槽线式 多芯片集成 金属沉积层 现有滤波器 边缘设置 厚度相等 内侧表面 依次设置 槽线 条槽 通槽 通孔 连通
【主权项】:
1.一种滤波器,其特征在于,包括:至少一个硅腔谐振单元,所述硅腔谐振单元包括依次设置的底层金属层、高阻硅介质层和顶层金属层;每个所述硅腔谐振单元的边缘设置有多个贯穿结构;所述贯穿结构贯穿所述底层金属层、所述高阻硅介质层和所述顶层金属层;所述贯穿结构的内侧表面形成有金属沉积层;所述贯穿结构为通孔和/或通槽;还包括至少一个槽线式阶梯阻抗谐振器,所述槽线式阶梯阻抗谐振器由形成在所述顶层金属层的相互连通的多条槽线组成;所述槽线的深度与所述顶层金属层的厚度相等。
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