[实用新型]一种可精准控制二维材料发光强度和峰位的发光器件有效
| 申请号： | 201920164512.X | 申请日： | 2019-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN209515724U | 公开（公告）日： | 2019-10-18 |
| 发明（设计）人： | 汤乃云;杨正茂 | 申请（专利权）人： | 上海电力学院 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/12;H01L33/26;H01L33/34;H01L33/44 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 刘燕武 |
| 地址： | 200090 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种可精准控制二维材料发光强度和峰位的发光器件，包括衬底、生长在衬底上的二氧化硅介质层，以及生长在二氧化硅介质层且相互隔离的三块硅薄膜区域，所述三块硅薄膜中的其中两块上分别生长一个金属电极，另一块与其中一块生长有金属电极的硅薄膜区域之间设置有一层二维材料。与现有技术相比，本实用新型制备得到的的器件制作方法简便、易于操作，能够精确控制二维材料发光强度和峰位，可以提供有利的光源，具有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 二维材料 硅薄膜 峰位 二氧化硅介质层 生长 本实用新型 发光器件 金属电极 精准控制 衬底 器件制作 光源 制备 隔离 应用 | ||
【主权项】：
1.一种可精准控制二维材料发光强度和峰位的发光器件，其特征在于，包括衬底、生长在衬底上的二氧化硅介质层，以及生长在二氧化硅介质层且相互隔离的三块硅薄膜，所述三块硅薄膜中的其中两块上分别生长一个金属电极，另一块与其中一块生长有金属电极的硅薄膜之间设置有一层二维材料。
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