[实用新型]一种去除硅片表面二氧化硅膜的装置有效
| 申请号： | 201920182719.X | 申请日： | 2019-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN209418462U | 公开（公告）日： | 2019-09-20 |
| 发明（设计）人： | 刘九江;刘顺玲;李诺;谭咏麟 | 申请（专利权）人： | 天津中环领先材料技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/67 |
| 代理公司： | 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 | 代理人： | 王耀云 |
| 地址： | 300384 天津市滨海新区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种去除硅片表面二氧化硅膜的装置，属于半导体测试设备领域，包括氢氟酸溶剂瓶、混合气体箱、雾化器和反应箱，氢氟酸溶剂瓶通过第一管路与雾化器的进口连通，雾化器的出口设在混合气体箱内部且二者密封设置，氢氟酸溶剂瓶的上端设有与其内部连通的进气管，进气管与外部的氮气供应装置的连通，进气管通过第二管路与混合气体箱连通，混合气体箱通过第三管路与反应箱连通，第三管路上设有混合气开关，反应箱上设有出气口。本实用新型可避免去除二氧化硅膜时沾污硅片本身，同时可使用电感耦合等离子质谱仪对SiO2膜内金属离子进行定量分析，对背封工艺工序进行有效的金属监控。 | ||
| 搜索关键词： | 混合气体箱 连通 二氧化硅膜 反应箱 进气管 氢氟酸 溶剂瓶 雾化器 去除 本实用新型 硅片表面 电感耦合等离子质谱仪 半导体测试设备 氮气供应装置 混合气开关 定量分析 工艺工序 金属离子 密封设置 内部连通 出气口 上端 硅片 背封 沾污 金属 监控 外部 进口 出口 | ||
【主权项】：
1.一种去除硅片表面二氧化硅膜的装置，其特征在于：包括氢氟酸溶剂瓶、混合气体箱、雾化器和反应箱，所述氢氟酸溶剂瓶通过第一管路与所述雾化器的进口连通，所述雾化器的出口设在所述混合气体箱内部且二者密封设置，所述氢氟酸溶剂瓶的上端设有与其内部连通的进气管，所述进气管与外部的氮气供应装置的连通，所述进气管通过第二管路与所述混合气体箱连通，所述混合气体箱通过第三管路与所述反应箱连通，所述第三管路上设有混合气开关，所述反应箱上设有出气口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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