[实用新型]一种近单晶双层透明AlN陶瓷复合衬底有效
| 申请号： | 201920193021.8 | 申请日： | 2019-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN209544284U | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 孙永健;郭坚;阎宇哲;王光普;谌洛;贾军峰;豆学刚;莫少琼 | 申请（专利权）人： | 保定中创燕园半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L33/00;C30B23/02;C30B25/18;C30B25/20;C30B29/40 |
| 代理公司： | 保定市燕赵恒通知识产权代理事务所 13121 | 代理人： | 王葶葶 |
| 地址： | 071051 河北省保定市国家高新*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种近单晶双层透明AlN陶瓷复合衬底，包括下层的近单晶AlN透明陶瓷基板和上层的AlN或GaN准单晶层；所述近单晶AlN透明陶瓷基板厚度为100—1000微米，晶胞直径在1‑3微米，不含烧结助剂，且c轴取向偏差在10—20°以内；所述AlN或GaN准单晶层厚度为5—100微米，c轴取向偏差在5°以内。本实用新型复合衬底接近AlN单晶材料的性能，能够实现外延生长GaN单晶材料或器件或者AlN单晶材料或器件，翘曲变形小，热导率高；且制备该复合衬底的设备成本低，从而制造成本低，使6英寸和8英寸LED器件的生产成为可能。 | ||
| 搜索关键词： | 近单晶 衬底 双层透明 陶瓷复合 透明陶瓷 准单晶 基板 复合 本实用新型 单晶材料 翘曲变形 烧结助剂 设备成本 外延生长 制造成本 层厚度 热导率 晶胞 下层 制备 上层 生产 | ||
【主权项】：
1.一种近单晶双层透明AlN陶瓷复合衬底，其特征在于，包括下层的近单晶AlN透明陶瓷基板和上层的AlN或GaN准单晶层；所述近单晶AlN透明陶瓷基板厚度为100—1000微米，晶胞直径在1—3微米，不含烧结助剂，且c轴取向偏差在10—20°以内；所述AlN或GaN准单晶层厚度为5—100微米，c轴取向偏差在5°以内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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