[实用新型]一种用于高功率半导体激光器的宏通道液体制冷片有效

专利信息
申请号: 201920238579.3 申请日: 2019-02-26
公开(公告)号: CN209374882U 公开(公告)日: 2019-09-10
发明(设计)人: 顾宁宁;开北超;于果蕾;徐现刚;郑兆河 申请(专利权)人: 潍坊华光光电子有限公司
主分类号: H01S5/024 分类号: H01S5/024
代理公司: 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 代理人: 陈桂玲
地址: 261061 山东省潍坊市奎文区*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 实用新型涉及一种用于高功率半导体激光器的宏通道液体制冷片,属于半导体激光器散热领域,包括相互交错分布的多片第一制冷片和第二制冷片,所述第一制冷片和第二制冷片均为片状结构,且均设置有通水区和芯片焊接区,所述第一制冷片和第二制冷片均包括上表面和下表面,所述上表面在所述通水区内设置有进水孔,所述下表面设置有与所述进水孔相对应的出水孔,进水口和出水孔贯通形成从上表面到下表面的通孔,所述第一制冷片的进水孔位于通水区内远离芯片焊接区的一端,所述第二制冷片的进水孔位于通水区内靠近芯片焊接区的一端。本实用新型结构简单、散热面积大、散热效果好。
搜索关键词: 制冷片 进水孔 通水 芯片焊接区 上表面 下表面 高功率半导体激光器 本实用新型 通道液体 出水孔 半导体激光器 散热面积大 交错分布 片状结构 散热效果 进水口 散热 多片 通孔 贯通
【主权项】:
1.一种用于高功率半导体激光器的宏通道液体制冷片,其特征在于,包括相互交错分布的多片第一制冷片和第二制冷片,所述第一制冷片和第二制冷片均为片状结构,且均设置有通水区和芯片焊接区,所述芯片焊接区位于第一制冷片或第二制冷片的一端,所述通水区位于第一制冷片或第二制冷片靠近芯片焊接区的位置,所述第一制冷片和第二制冷片均包括上表面和下表面,所述上表面在所述通水区内设置有进水孔,所述下表面设置有与所述进水孔相对应的出水孔,进水口和出水孔贯通形成从上表面到下表面的通孔,所述第一制冷片的进水孔位于通水区内远离芯片焊接区的一端,所述第二制冷片的进水孔位于通水区内靠近芯片焊接区的一端。
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