[实用新型]一种硅片退火炉有效
申请号: | 201920239110.1 | 申请日: | 2019-02-21 |
公开(公告)号: | CN210575848U | 公开(公告)日: | 2020-05-19 |
发明(设计)人: | 颜廷福 | 申请(专利权)人: | 青岛福润德微电子设备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/324 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 266000 山东省青岛*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本实用新型公开一种硅片退火炉,其包括机架、反应室、设置反应室内的退火炉体和气源柜,退火炉体设置为两个,加热和供气均为单独控制,反应室正上方罩设有排风罩,退火炉体的中部为核心区段,两端为预热区段,各区段加热均为单独控制,退火炉体进气端设置有均风板,另一端设置吸风盘,吸风盘设置有排风孔,吸风盘内设置风道连通排风孔,风道出口端朝向排风罩设置,吸风盘外侧盘面上设置有多条通风槽,每条通风槽与反应室壁上设置的通风孔对应。该退火炉为双炉体单独控温设置,且能够实现保护气体的均匀分布,炉体分区控温进一步提升退火温度的稳定性,提升了硅片的退火品质,另外该退火炉可及时排出多余保护气体,防止散失到环境中污染环境。 | ||
搜索关键词: | 一种 硅片 退火炉 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造