[实用新型]一种低电感的GaN功率模块倒装封装结构

摘要

本实用新型公开了一种低电感的GaN功率模块倒装封装结构，包括基板和GaN芯片，GaN芯片的下侧壁左侧固定安装有p电极凸点，GaN芯片的下侧壁右侧固定安装有n电极凸点，GaN芯片的下侧壁左侧与基板的上侧壁之间左右对称固定安装有第一限位支撑装置，第一限位支撑装置的内侧壁固定装配有第一橡胶板，本实用新型通过第一限位支撑装置、第一橡胶板、第二限位支撑装置和第二橡胶板的结构，对GaN芯片的位置进行限定并支撑，避免其受外力时令凸点处受到压迫而损坏，同时在第一橡胶板和第二橡胶板的作用下，对凸点的位置进行限定，避免芯片受外力时凸点处发生移动而影响电连接，最终达到对倒装芯片上凸点处的保护作用。

主权项

1.一种低电感的GaN功率模块倒装封装结构，其特征在于：包括基板(1)和GaN芯片(2)，所述基板(1)的上侧壁固定安装有封装体(3)，且GaN芯片(2)位于封装体(3)的内部，所述GaN芯片(2)的下侧壁左侧固定安装有p电极凸点(4)，所述GaN芯片(2)的下侧壁右侧固定安装有n电极凸点(5)，且p电极凸点(4)与n电极凸点(5)电连接于基板(1)，所述GaN芯片(2)的下侧壁左侧与基板(1)的上侧壁之间左右对称固定安装有第一限位支撑装置(6)，所述第一限位支撑装置(6)的内侧壁固定装配有第一橡胶板(7)，且第一橡胶板(7)的外侧壁贴合于p电极凸点(4)的外侧壁，所述GaN芯片(2)的下侧壁右侧与基板(1)的上侧壁之间左右对称固定安装有第二限位支撑装置(8)，所述第二限位支撑装置(8)的内侧壁固定装配有第二橡胶板(9)，且第二橡胶板(9)的外侧壁贴合于n电极凸点(5)的外侧壁。