[实用新型]一种精确控制电阻式加热温梯的PVT法单晶生长装置有效
| 申请号： | 201920241506.X | 申请日： | 2019-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN209537676U | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 赵丽丽;范国峰;袁文博;门振龙;张胜涛;付昊 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B11/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨市伟晨专利代理事务所(普通合伙) 23209 | 代理人： | 李晓敏 |
| 地址： | 150000 黑龙江省哈尔滨市南岗区*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种精确控制电阻式加热温梯的PVT法单晶生长装置，属于碳化硅晶体生长技术领域，本实用新型为了解决现有碳化硅晶体生长装置保温效果差，电功耗过高，且无法精确测量坩埚各个部分温度的问题。主体内设置有保温组件，坩埚升降组件的顶端穿过主体的底部和保温组件且悬置在保温组件内，坩埚放置在保温组件的顶端，加热组件安装在主体的顶部，且加热组件的输出端位于坩埚的四周和上方，温度测量组件的多个测量端分别位于加热组件的输出端和坩埚的上方和下方。本实用新型的一种精确控制电阻式加热温梯的PVT法单晶生长装置可对碳化硅晶体生长使用的坩埚进行保温加热，并能保证和控制坩埚各部分的实时温度。 | ||
| 搜索关键词： | 坩埚 保温组件 单晶生长装置 碳化硅晶体 加热组件 控制电阻 温梯 加热 本实用新型 输出端 温度测量组件 坩埚升降组件 保温加热 保温效果 生长装置 测量端 电功耗 生长 悬置 测量 穿过 保证 | ||
【主权项】：
1.一种精确控制电阻式加热温梯的PVT法单晶生长装置，其特征在于：包括主体(1)、坩埚升降组件、温度测量组件、保温组件和加热组件；所述主体(1)内设置有保温组件，坩埚升降组件的顶端穿过主体(1)的底部和保温组件后悬置在保温组件内，坩埚(26)放置在保温组件的顶端，加热组件安装在主体(1)的顶部，且加热组件的输出端位于坩埚(26)的四周和上方，温度测量组件的多个测量端分别位于加热组件的输出端和坩埚(26)的上方和下方。
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