[实用新型]一种改善管式PECVD气体均匀性的装置有效
| 申请号： | 201920249183.9 | 申请日： | 2019-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN209816273U | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 邹臻峰;曾文妮;劳宏彬;陈方才;刘隆江 | 申请（专利权）人： | 铜仁梵能移动能源有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455;C23C16/50 |
| 代理公司： | 52116 贵阳易博皓专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 张浩宇;杨晓欣 |
| 地址： | 554300 贵州省铜*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种改善管式PECVD气体均匀性的装置，包括氨气进气管道(1)、硅烷进气管道(2)、特气法兰(3)、法兰气体通道(4)、位于特气法兰(3)上半圈的上特气孔(5)和位于位于特气法兰(3)下半圈的下特气孔(6)，在所述的下特气孔(6)中塞入有插销式螺丝钉，所述的插销式螺丝钉将下特气孔(6)堵住；所述的上特气孔(5)为倒锥形结构，上特气孔(5)的底部内径1.5‑3mm，为现有特气孔内径的1～2倍，上特气孔(5)的上部内径1.5‑4.5mm，为现有特气孔内径的1～3倍。本实用新型可实现晶硅电池镀膜的均匀性提升，尤其针对单晶硅电池镀膜均匀性提升效果显著。 | ||
| 搜索关键词： | 特气孔 法兰 特气 本实用新型 进气管道 螺丝钉 插销式 半圈 单晶硅电池 倒锥形结构 镀膜均匀性 均匀性提升 氨气 晶硅电池 气体通道 塞入 均匀性 镀膜 管式 硅烷 堵住 | ||
【主权项】：
1.一种改善管式PECVD气体均匀性的装置，包括氨气进气管道(1)、硅烷进气管道(2)、特气法兰(3)、法兰气体通道(4)、位于特气法兰(3)上半圈的上特气孔(5)和位于位于特气法兰(3)下半圈的下特气孔(6)，其特征在于：在所述的下特气孔(6)中塞入有插销式螺丝钉，所述的插销式螺丝钉将下特气孔(6)堵住；所述的上特气孔(5)为倒锥形结构，上特气孔(5)的底部内径1.5-3mm，为现有特气孔内径的1～2倍，上特气孔(5)的上部内径1.5-4.5mm，为现有特气孔内径的1～3倍。/n
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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