[实用新型]一种集成肖特基二极管的平面型场效晶体管有效
| 申请号： | 201920251219.7 | 申请日： | 2019-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN209199945U | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 叶荣辉 | 申请（专利权）人： | 四川美阔电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/417;H01L29/47;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 张严芳 |
| 地址： | 629000 四川省遂宁市经济技术开发区玉龙*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种集成肖特基二极管的平面型场效晶体管，解决了现有金氧半场效晶体管在应用于高压或高速切换频率时，制作成本高，增加漏电流，降低金氧半场效晶体管的稳定性，产品的结构复杂，产品体积大且良率低的问题。本实用新型包括基板，所述基板的上表面设置有磊晶层，所述磊晶层上形成有第一介电层，所述第一介电层的部分表面形成有至少一个闸极，未被闸极覆盖的所述磊晶层上掺杂形成有至少一个本体，所述本体的部分区域掺杂形成有至少一个源极区，所述第一介电层和所述闸极上形成有第二介电层，所述第二介电层上设置有源极，所述基板、磊晶层、本体及源极区均为半导体。本实用新型具有排除累计电荷快，产品构造简单及体积小等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 介电层 磊晶层 本实用新型 基板 闸极 金氧半场效晶体管 肖特基二极管 场效晶体管 平面型 源极区 表面形成 产品构造 高速切换 区域掺杂 电荷 漏电流 上表面 体积小 良率 源极 半导体 掺杂 覆盖 制作 应用 | ||
【主权项】：
1.一种集成肖特基二极管的平面型场效晶体管，其特征在于，包括基板(11)，所述基板(11)的上表面设置有磊晶层(13)，所述磊晶层(13)上形成有第一介电层(171)，所述第一介电层(171)的部分表面形成有至少一个闸极(16)，未被闸极(16)覆盖的所述磊晶层(13)上掺杂形成有至少一个本体(14)，所述本体(14)的部分区域掺杂形成有至少一个源极区(15)，所述第一介电层(171)和所述闸极(16)上形成有第二介电层(173)，所述第二介电层(173)上设置有源极(18)，所述基板(11)、磊晶层(13)、本体(14)及源极区(15)均为半导体材料。
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