[实用新型]整流二极管芯片有效
| 申请号： | 201920259427.1 | 申请日： | 2019-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN209896070U | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 王民安;马霖;王日新;郑春鸣;全美淑;谢富强;王志亮;董蕊;岳春艳;戴永霞;倪小兰;汪杏娟;胡丽娟;黄永辉;项建辉;陈明;曹红军 | 申请（专利权）人： | 安徽省祁门县黄山电器有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 34128 芜湖众汇知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 谈志成 |
| 地址： | 245600 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种整流二极管芯片，包括长基区N，设置在长基区N上表面的掺浓磷扩散层N+，设置在长基区N下表面的阳极区P，还设置有电压槽，所述电压槽从掺浓磷扩散层N+的上表面向下延伸；其特征在于：在长基区N上局部设置有P型凸台，该P型凸台与阳极区P连通成一体，所述P型凸台位于电压槽的下方，电压槽的底部部分位于长基区N上，部分位于P型凸台上。本实用新型通过P型隔离层和P+阻挡层能够有效降低器件工作时的功耗，提高产品合格率，可广泛应用于二极管芯片领域。 | ||
| 搜索关键词： | 长基区 凸台 本实用新型 扩散层 上表面 阳极区 浓磷 整流二极管芯片 产品合格率 二极管芯片 降低器件 局部设置 向下延伸 下表面 阻挡层 功耗 连通 应用 | ||
【主权项】：
1.一种整流二极管芯片，包括长基区N，设置在长基区N上表面的掺浓磷扩散层N+，设置在长基区N下表面的阳极区P，还设置有电压槽，所述电压槽从掺浓磷扩散层N+的上表面向下延伸；其特征在于：在长基区N上局部设置有P型凸台，该P型凸台与阳极区P连通成一体，所述P型凸台位于电压槽的下方，电压槽的底部部分位于长基区N上，部分位于P型凸台上；/n所述P型凸台包括与长基区N相邻的P型区域及位于P型区域外侧的P+型缓冲阻挡层。/n
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