[实用新型]半导体制造装置的排气管道有效
| 申请号： | 201920259494.3 | 申请日： | 2019-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN209636314U | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44;F16L9/12;F17D1/02 |
| 代理公司： | 11438 北京律智知识产权代理有限公司 | 代理人： | 袁礼君;阚梓瑄<国际申请>=<国际公布> |
| 地址： | 230000安徽省合肥市经*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种适用于半导体制造装置中的排气管道，所述半导体制造装置包括进行半导体加工工艺的工艺腔室、用于抽吸所述工艺腔室中的工艺废气的真空泵以及用于使所述工艺腔室和所述真空泵连接的排气管道，所述排气管道包括中心连接管、加热外壳以及设置于所述中心连接管的两个端部的连接构件，所述连接构件覆盖所述工艺腔室和所述中心连接管之间的连接部分、所述中心连接管和所述真空泵之间的连接部分。通过本申请的排气管道，能够降低在真空泵和尾气处理装置的排气管道中堆积的粉末颗粒的堆积程度，从而能够降低附带设备(真空泵和尾气处理装置等)的故障率，并且能够延长预防性维护周期的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 排气管道 工艺腔室 连接管 真空泵 半导体制造装置 尾气处理装置 连接构件 堆积 半导体加工工艺 本实用新型 预防性维护 真空泵连接 粉末颗粒 附带设备 工艺废气 加热外壳 故障率 抽吸 覆盖 申请 | ||
【主权项】：
1.一种半导体制造装置，其包括进行半导体加工工艺的工艺腔室、用于抽吸所述工艺腔室中的工艺废气的真空泵以及用于使所述工艺腔室和所述真空泵连接的排气管道，其特征在于，/n所述排气管道包括中心连接管、加热外壳以及设置于所述中心连接管的两个端部的连接构件，/n所述连接构件覆盖所述工艺腔室和所述中心连接管之间的连接部分、所述中心连接管和所述真空泵之间的连接部分。/n
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
