[实用新型]一种基于波导T型结的高隔离度的功率合成器有效

专利信息
申请号: 201920277451.8 申请日: 2019-03-05
公开(公告)号: CN209487688U 公开(公告)日: 2019-10-11
发明(设计)人: 谭琮;杨留邡;武熠明 申请(专利权)人: 贵州航天电子科技有限公司
主分类号: H01P5/16 分类号: H01P5/16
代理公司: 贵阳睿腾知识产权代理有限公司 52114 代理人: 谷庆红
地址: 550009 *** 国省代码: 贵州;52
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摘要: 实用新型提供了一种基于波导T型结的高隔离度的功率合成器,包括上腔体和下腔体;上腔体和下腔体之间中心位置夹装有波导T型结,其中波导T型结的上半部分位于上腔体中、下半部分位于下腔体中;在下腔体中,有两路连接印制板分别以后端电连接于波导T型结的T型横向两翼上,且连接印制板的中轴线与波导T型结的T型横向两翼方向垂直。本实用新型通过在输入端口增加隔离器的方法,实现输入端口隔离度提升的目的,理论上隔离度可达到隔离器隔离度Is加6dB;端口隔离度的提高,可以有效的保护固态功放中的功率管,不会因功率合成器端口输入信号互相干扰,而导致功率管烧毁。
搜索关键词: 波导 功率合成器 隔离度 上腔体 下腔体 本实用新型 高隔离度 输入端口 隔离器 功率管 印制板 两翼 端口输入信号 端口隔离 方向垂直 固态功放 互相干扰 电连接 中轴线 两路 腔体 烧毁
【主权项】:
1.一种基于波导T型结的高隔离度的功率合成器,包括上腔体和下腔体,其特征在于:上腔体和下腔体之间中心位置夹装有波导T型结(1),其中波导T型结(1)的上半部分位于上腔体中、下半部分位于下腔体中;在下腔体中,有两路连接印制板(4)分别以后端电连接于波导T型结(1)的T型横向两翼上,且连接印制板(4)的中轴线与波导T型结(1)的T型横向两翼方向垂直,连接印制板(4)的中部设有隔离器(3),连接印制板(4)的前端电连接于连接器(5)。
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