[实用新型]安全芯片主动防护层结构有效
| 申请号： | 201920280598.2 | 申请日： | 2019-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN210866168U | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 陆小勇;肖金磊;陈凝;郭耀华;许秋林 | 申请（专利权）人： | 紫光同芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/532;H01L23/538 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083 北京市海淀区五*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了安全芯片主动防护层结构。所述安全芯片主动防护层结构包括焊线孔、第一钝化层介质、第二钝化层介质、金属铝层、第一黏附阻挡层、金属塞、第二黏附阻挡层、金属阻挡层、介质层和铜金属层，其中，金属塞由金属钨通过化学气相沉积CVD工艺形成。本实用新型的方案，摒弃了传统的用铝金属填洞作为和下层金属连接的金属，而是通过化学气相沉积CVD工艺形成金属钨作为金属塞，在金属阻挡层上沉积钛/氮化钛及金属钨，将接触孔的关键尺寸做到远低于0.1um以下,下层第二黏附阻挡层和金属阻挡层的黏附性很好，满足电迁移和应力迁移的可靠性要求，和金属铝层主动防护层宽度小于1um的设计要求，并能够起到安全保护作用。 | ||
| 搜索关键词： | 安全 芯片 主动 防护 结构 | ||
【主权项】：
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