[实用新型]自组织锗硅纳米晶基片、栅极电控量子点结构有效
| 申请号： | 201920281024.7 | 申请日： | 2019-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN209675289U | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 李海欧;李炎;胡蕾琪;刘赫;郭光灿;郭国平 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/16;H01L29/66;H01L29/739 |
| 代理公司： | 11021 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李坤<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种自组织锗硅纳米晶基片、栅极电控量子点结构，该自组织锗硅纳米晶基片由下至上依次生长：非掺杂硅衬底、硅缓冲层、锗层、硅包覆层以及二氧化硅层；其中，所述自组织锗硅纳米晶基片上利用分子外延生长技术，使所述锗层、所述硅包覆层和所述二氧化硅层的中部均向上凸起，形成自组织硅锗纳米晶结构。本实用新型提供的自组织锗硅纳米晶基片、栅极电控量子点结构以顶栅极层电控空穴型自组织锗硅纳米晶电控量子点结构为基础，为构建量子计算机的量子比特基本单元提供了可实现高集成度、快速操控的量子点结构。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米晶 自组织 锗硅 量子点结构 电控 本实用新型 二氧化硅层 覆层 硅包 锗层 外延生长技术 空穴 量子计算机 顶栅极层 高集成度 硅缓冲层 基本单元 向上凸起 非掺杂 硅衬底 操控 构建 硅锗 量子 生长 | ||
【主权项】：
1.一种自组织锗硅纳米晶基片，其特征在于，其由下至上依次生长：非掺杂硅衬底、硅缓冲层、锗层、硅包覆层以及二氧化硅层；/n其中，所述自组织锗硅纳米晶基片上利用分子外延生长技术，使所述锗层、所述硅包覆层和所述二氧化硅层的中部均向上凸起，形成自组织硅锗纳米晶结构，包括：/n锗层向上凸起形成的纳米晶锗内核层；/n硅包覆层向上凸起形成的纳米晶硅盖帽层；以及/n二氧化硅层向上凸起形成的纳米晶二氧化硅保护层。/n
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