[实用新型]一种光电二极管有效
申请号: | 201920293851.8 | 申请日: | 2019-03-07 |
公开(公告)号: | CN209282210U | 公开(公告)日: | 2019-08-20 |
发明(设计)人: | 曾莹;阮文彪 | 申请(专利权)人: | 地太科特电子制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L31/02 | 分类号: | H01L31/02;H01L31/115;H01L31/18 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 蒋冬梅;栗若木 |
地址: | 100176 北京市大兴区北京经*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请提供一种光电二极管,包括阴极、阳极、衬底、第一直通孔以及第二直通孔,第一直通孔穿透衬底,将阳极引到衬底的背面,第二直通孔穿透衬底,将阴极引到衬底的背面。本申请实施例提供的光电二极管同时具有快速响应和光电转换量子效率高的优点。 | ||
搜索关键词: | 衬底 直通孔 光电二极管 阴极 阳极 背面 穿透 光电转换 快速响应 量子效率 申请 | ||
【主权项】:
1.一种光电二极管,其特征在于,包括:阳极、阴极、衬底、第一直通孔以及第二直通孔,所述阳极和所述阴极设置在所述衬底的正面,所述第一直通孔穿透所述衬底,将所述阳极引到所述衬底的背面,所述第二直通孔穿透所述衬底,将所述阴极引到所述衬底的背面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于地太科特电子制造(北京)有限公司,未经地太科特电子制造(北京)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201920293851.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体器件
- 下一篇:电池钝化膜开模图形、太阳能电池以及太阳能组件
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的