[实用新型]半导体器件及芯片有效
| 申请号： | 201920301065.8 | 申请日： | 2019-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN209515676U | 公开（公告）日： | 2019-10-18 |
| 发明（设计）人： | 赖海波;朱开兴;丘荣贵;赖思佳 | 申请（专利权）人： | 福建龙夏电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;董琳 |
| 地址： | 364012 福建省龙岩市新罗*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种半导体器件及芯片，该器件包括：位于衬底内的终端沟槽栅结构和若干元胞沟槽栅结构；所述终端沟槽栅结构具有沿设定方向间隔排列的若干环形侧表面；若干所述元胞沟槽栅结构分别位于若干所述环形侧表面的内侧，且每一所述终端沟槽栅结构的环形侧表面与对应内侧的元胞沟槽栅结构的侧表面以恒定间距同心设置。本实用新型的技术方案解决了现有分裂栅沟槽型MOSFET的沟槽栅结构间距不能保持一致导致电参数一致性差的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 栅结构 元胞沟槽 终端沟槽 半导体器件 本实用新型 芯片 电参数一致性 沟槽型MOSFET 恒定 沟槽栅结构 方案解决 方向间隔 同心设置 侧表面 分裂栅 衬底 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：位于衬底内的终端沟槽栅结构和若干元胞沟槽栅结构；所述终端沟槽栅结构具有沿设定方向间隔排列的若干环形侧表面；若干所述元胞沟槽栅结构分别位于若干所述环形侧表面的内侧，且每一所述终端沟槽栅结构的环形侧表面与对应内侧的元胞沟槽栅结构的侧表面以恒定间距同心设置。
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