[实用新型]一种电子束器件有效
| 申请号： | 201920312780.1 | 申请日： | 2019-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN209641619U | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 罗景涛;严可为 | 申请（专利权）人： | 西安众力为半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01J23/09 | 分类号： | H01J23/09;H01J25/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710075陕西省西安市高*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本公开涉及一种电子束器件，包括：半导体衬底以及半导体衬底表面的GaN/AlGaN复合层，GaN/AlGaN复合层的一端设有阴极，GaN/AlGaN复合层的另一端设有阳极，阴极和阳极之间设有调制输入端和调制输出端。由于GaN/AlGaN复合层是由排列整齐的晶格原子构成的半导体材料，在阳极和阴极之间施加电压偏置时，GaN/AlGaN复合层的异质结界面处的电子束流穿行于这些晶格原子中，其漂移速度将会受到极大的限制，因此，该电子束流在一个时间周期内的运行距离就相应地减小了，这样，可以大大地缩小电子束器件的尺寸，实现电子束器件的微型化，解决了传统电子束器件尺寸过大的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 复合层 电子束器件 阴极 阳极 电子束流 晶格原子 半导体衬底表面 半导体材料 微型化 漂移 异质结界面 调制输出 排列整齐 施加电压 时间周期 运行距离 输入端 衬底 减小 偏置 调制 半导体 | ||
【主权项】：
1.一种电子束器件，其特征在于，包括：半导体衬底以及所述半导体衬底表面的GaN/AlGaN复合层，所述GaN/AlGaN复合层的一端设有阴极，所述GaN/AlGaN复合层的另一端设有阳极，所述阴极和所述阳极之间设有调制输入端和调制输出端。/n
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