[实用新型]半导体结构有效
| 申请号： | 201920326590.5 | 申请日： | 2019-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN209822636U | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 吴秉桓 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L21/78;H01L21/98 |
| 代理公司： | 31260 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型实施例涉及一种半导体结构，包括：芯片堆叠结构，所述芯片堆叠结构具有第一面和与所述第一面相对的第二面，所述芯片堆叠结构包括沿垂直于所述第一面方向堆叠的至少三个芯片；所述芯片堆叠结构侧壁包括位于同一侧的第一侧壁以及第二侧壁，且所述第一侧壁与所述第二侧壁通过连接面相连。本实用新型提供一种新型结构性能优越的半导体结构。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片堆叠结构 半导体结构 本实用新型 第二侧壁 第一侧壁 第二面 连接面 侧壁 堆叠 垂直 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：/n芯片堆叠结构，所述芯片堆叠结构具有第一面和与所述第一面相对的第二面，所述芯片堆叠结构包括沿垂直于所述第一面方向堆叠的至少三个芯片；/n所述芯片堆叠结构侧壁包括位于同一侧的第一侧壁以及第二侧壁，且所述第一侧壁与所述第二侧壁通过连接面相连。/n
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