[实用新型]一种具有三层钝化层结构的太阳电池有效
申请号: | 201920331860.1 | 申请日: | 2019-03-15 |
公开(公告)号: | CN209434195U | 公开(公告)日: | 2019-09-24 |
发明(设计)人: | 尹丙伟;张忠文;吴俊旻;张鹏;杨蕾;余波;王岚 | 申请(专利权)人: | 通威太阳能(合肥)有限公司;通威太阳能(成都)有限公司;通威太阳能(安徽)有限公司;通威太阳能(眉山)有限公司;通威太阳能有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/18 |
代理公司: | 昆明合众智信知识产权事务所 53113 | 代理人: | 张玺 |
地址: | 230088 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种具有三层钝化层结构的太阳电池,包括硅基体,所述硅基体正面和背面均依次沉积有二氧化硅层第一钝化层、三氧化二铝或含有三氧化二铝的第二钝化层和富氢的氮化硅第三钝化层;位于所述硅基体背面的富氢的氮化硅第三钝化层上印刷铝层或铝栅线,通过激光刻槽与硅形成欧姆接触,背面设置有背电极;位于所述硅基体正面的富氢的氮化硅第三钝化层上设置有正电极和副栅线。本实用新型通过在硅片的正、背表面各生长沉积了一层二氧化硅膜层,很好的增强正背面的钝化效果,同时增强了电池片的抗PID性能,并且可以有效的提升电池效率。 | ||
搜索关键词: | 钝化层 硅基体 氮化硅 富氢 本实用新型 三氧化二铝 三层 沉积 二氧化硅膜层 二氧化硅层 背面设置 电池效率 钝化效果 激光刻槽 欧姆接触 背表面 背电极 电池片 副栅线 正电极 硅片 铝层 铝栅 背面 印刷 生长 | ||
【主权项】:
1.一种具有三层钝化层结构的太阳电池,包括硅基体(1),其特征在于:所述硅基体(1)正面和背面均依次沉积有二氧化硅层第一钝化层(2)、三氧化二铝或含有三氧化二铝的第二钝化层(3)和富氢的氮化硅第三钝化层(4);位于所述硅基体(1)背面的富氢的氮化硅第三钝化层(4)上印刷有铝层或铝栅线(5),所述铝层或铝栅线(5)通过激光刻槽与硅基体(1)形成欧姆接触连接,铝层或铝栅线(5)背面设置有背电极(6);位于所述硅基体(1)正面的富氢的氮化硅第三钝化层(4)上设置有正电极(7)和副栅线,所述正电极(7)与硅基体(1)连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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