[实用新型]一种DC-20GHz低噪声放大器有效
申请号: | 201920335729.2 | 申请日: | 2019-03-18 |
公开(公告)号: | CN209710051U | 公开(公告)日: | 2019-11-29 |
发明(设计)人: | 徐小杰;吴洁 | 申请(专利权)人: | 南京天矽微电子科技有限公司 |
主分类号: | H03F1/26 | 分类号: | H03F1/26;H03F3/04 |
代理公司: | 32360 南京泰普专利代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 窦贤宇<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
地址: | 210000 江苏省南京市江宁*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种DC‑20GHz低噪声放大器,包括输入匹配单元、共源共栅放大单元和输出匹配单元;其中,输入匹配单元的输出端与共源共栅放大单元的输入端连接,起到传输信号的功能;共源共栅放大单元的输出端与输出匹配单元的输入端连接,起到接收并放大再输出信号的功能;在信号传输进入共源共栅放大单元,共栅结构能够在频率高端表现为负阻,一定程度上补偿了漏传输线带来的损耗,两级并联负反馈的自偏置结构改善放大器的增益平坦度、晶体管的稳定性和输入输出匹配,为放大器提供宽频带,且能降对工艺偏差的敏感度。本实用新型通过共栅结构和两级并联负反馈的自偏置结构降低了放大器的工作损耗和对制作工艺的要求,成本较低,稳定性很高。 | ||
搜索关键词: | 放大器 放大单元 共源共栅 输出匹配单元 输入匹配单元 本实用新型 并联负反馈 输入端连接 共栅结构 输出端 自偏置 两级 传输线 低噪声放大器 输入输出匹配 增益平坦度 传输信号 工艺偏差 工作损耗 共栅放大 结构改善 频率高端 输出信号 信号传输 制作工艺 宽频带 敏感度 晶体管 负阻 放大 表现 | ||
【主权项】:
1.一种DC-20GHz低噪声放大器,其特征在于,包括输入匹配单元、共源共栅放大单元和输出匹配单元;/n输入匹配单元,包括电容C1、电容C2、电感L1和电感L2,所述电容C1的一端接输入信号,所述电容C1的另一端于所述电感L1的一端连接,所述电感L1的另一端分别与所述电感L2的一端、所述电容C2的一端连接,所述电感L2的另一端接地;/n共源共栅放大单元,包括晶体管Q1、晶体管Q2、晶体管Q3、晶体管Q4、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电容C4、电容C5、电容C6、电容C7、电容C8、电容C9、电容C10、电感L3、电感L4、电感L5、电感L6、电感L7和电感L8,所述晶体管Q1的栅极分别与所述电容C2的另一端、所述电感L3的一端连接,所述晶体管Q1的源极分别与所述电阻R1的一端、所述电容C3的一端连接,所述电阻R1的另一端与所述电容C3的另一端均接地,所述晶体管Q1的漏极与所述电感L4的一端连接,所述电感L4的另一端与所述晶体管Q2的源极连接,所述晶体管Q2的漏极与所述电容C4的一端连接,所述电容C4的另一端与所述电阻R2的一端连接,所述电阻R2的另一端分别与所述晶体管Q2的栅极、所述电阻R3的一端、所述电容C5的一端、所述电容C6的一端和所述电感L5的一端连接,所述电阻R3的另一端接电压信号,所述电容C5的另一端接地,所述电感L5的另一端分别与所述电容C7的一端、所述电感L6的一端连接,所述电容C7的另一端接地,所述电容C6的另一端分别与所述电感L7的一端、所述电阻R7的一端和所述晶体管Q4的栅极连接,所述电感L7的另一端分别与所述电阻R5的一端、所述电容C8的一端和所述电阻R4的一端连接,所述电容C8的另一端与所述电阻R5的另一端均接地,所述晶体管Q4的漏极与所述电容C9的一端连接,所述电容C9的另一端与所述电阻R7的一端连接,所述晶体管Q4的源极分别与所述电阻R4的另一端、所述电感L6的另一端和所述电感L8的一端连接,所述电感L8的另一端与所述晶体管Q3的漏极连接,所述晶体管Q3的栅极与所述电感L3的另一端连接,所述晶体管Q3的源极分别与所述电容C10的一端、所述电阻R6的一端连接,所述电容C10的另一端与所述电阻R7的另一端均接地;/n输出匹配单元,包括电容C11、电容C12、电容C13、电感L9、电感L10、电感L11和电阻R8,所述电感L9的一端分别与所述晶体管Q4的漏极、所述电容C9的一端连接,所述电感L9的另一端分别与所述电感L10的一端、所述电感L11的一端连接,所述电感L10的另一端分别与所述电容C11的一端、所述电阻R8的一端连接,所述电容C11的另一端接地,所述电阻R8的另一端与所述电容C12的一端连接,所述电容C12的另一端接地,所述电感L11的另一端与所述电容C13的一端连接,所述电容C13的另一端接输出端口。/n
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