[实用新型]相变化记忆体有效
| 申请号： | 201920338285.8 | 申请日： | 2019-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN209785974U | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 郑胜鸿;张明丰;杨子澔 | 申请（专利权）人： | 江苏时代全芯存储科技股份有限公司;江苏时代芯存半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 223300 江苏省淮安市淮阴区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种相变化记忆体，包括下电极、环形加热器、环形相变化层、以及上电极。环形加热器设置于下电极上。环形相变化层设置于环形加热器上，且环形相变化层与环形加热器在下电极的法线方向上错位。上电极设置于环形相变化层上。本实用新型简化了相变化记忆体的制造制程，且降低制造成本及提升制造良率。此外，本实用新型的相变化记忆体的加热器与相变化层间的接触面积极小，使相变化记忆体具有极低的重置电流。 | ||
| 搜索关键词： | 相变化层 相变化记忆体 环形加热器 本实用新型 下电极 电极 加热器 电极设置 法线方向 制造成本 重置电流 良率 制程 制造 错位 | ||
【主权项】：
1.一种相变化记忆体，其特征在于，包括：/n一下电极；/n一环形加热器，设置于该下电极上；/n一环形相变化层，设置于该环形加热器上，其中该环形相变化层与该环形加热器在该下电极的一法线方向上错位；以及/n一上电极，设置于该环形相变化层上。/n
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