[实用新型]一种纳米线激光器外延结构有效
| 申请号： | 201920340065.9 | 申请日： | 2019-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN209658598U | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 董海亮;许并社;贾志刚;张爱琴;屈凯;李天保;梁建 | 申请（专利权）人： | 太原理工大学 |
| 主分类号： | H01S5/20 | 分类号： | H01S5/20;H01S5/227;H01S5/343 |
| 代理公司： | 14110 太原晋科知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 任林芳<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 030024 *** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本实用新型一种纳米线激光器外延结构，属于半导体材料技术领域；提供了一种高电光转换效率、可靠性高的大功率激光器件及其制备方法；该纳米线激光器外延结构，包括偏角衬底以及在偏角衬底依次生长的N型掺杂的缓冲层、N型掺杂的限制层、N型掺杂的波导层、量子线有源层、P型掺杂的波导层、P型掺杂的限制层、P型掺杂的顶层和P型高掺杂的电极接触层，偏角衬底所用材料为带有偏角的GaAs衬底，GaAs衬底中的{100}晶面偏向{011}晶面；本实用新型可广泛应用于半导体激光器领域。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 偏角 本实用新型 外延结构 激光器 波导层 纳米线 限制层 晶面 半导体材料 半导体激光器 大功率激光器 电光转换效率 电极接触层 高掺杂 缓冲层 量子线 顶层 源层 制备 生长 应用 | ||
【主权项】：
1.一种纳米线激光器外延结构，其特征在于：包括偏角衬底（1）以及在偏角衬底（1）依次生长的N型掺杂的缓冲层（2）、N型掺杂的限制层（3）、N型掺杂的波导层（4）、量子线有源层（5）、P型掺杂的波导层（6）、P型掺杂的限制层（7）、P型掺杂的顶层（8）和P型高掺杂的电极接触层（9），偏角衬底（1）所用材料为带有偏角的GaAs衬底，GaAs衬底中的{100}晶面偏向{011}晶面。/n
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