[实用新型]一种用于平板式镀膜系统的硅片承载架及载板有效
| 申请号： | 201920351543.6 | 申请日： | 2019-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN209607713U | 公开（公告）日： | 2019-11-08 |
| 发明（设计）人： | 何振杰 | 申请（专利权）人： | 杭州海莱德智能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310051 浙江省杭州市滨*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型的一种用于平板式镀膜系统的硅片承载架，包括承载孔和承载框，承载框用以承载硅片，且包括承载底面、第一承载侧边和第二承载侧边；承载底面水平设置，第一承载侧边和第二承载侧边通过承载连接边连接并对应设置；沿着第一承载侧边到第二承载侧边的方向，承载连接边与承载底面的垂直距离逐渐减小。本实用新型的用于平板式镀膜系统的硅片承载架及载板，减少了硅片与载板的接触面积，实现了硅片的良好受热，硅片被加热的更快，防止绕镀现象，硅片载板稳定性好，易于取放硅片。 | ||
| 搜索关键词： | 承载 硅片 侧边 镀膜系统 硅片承载 平板式 载板 承载连接 承载框 本实用新型 垂直距离 底面水平 逐渐减小 受热 承载孔 底面 取放 加热 | ||
【主权项】：
1.一种用于平板式镀膜系统的硅片承载架，其特征在于，包括承载孔和承载框，所述承载框用以承载硅片，且包括承载底面、第一承载侧边和第二承载侧边；所述承载底面水平设置，所述第一承载侧边和所述第二承载侧边通过承载连接边连接并对应设置；沿着所述第一承载侧边到所述第二承载侧边的方向，所述承载连接边与所述承载底面的垂直距离逐渐减小。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
