[实用新型]一种PIN二极管器件结构有效

专利信息
申请号: 201920355052.9 申请日: 2019-03-20
公开(公告)号: CN209626231U 公开(公告)日: 2019-11-12
发明(设计)人: 张紫辉;侯旭;张勇辉 申请(专利权)人: 河北工业大学
主分类号: H01L29/868 分类号: H01L29/868;H01L29/207;H01L21/329
代理公司: 天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙) 12210 代理人: 赵凤英
地址: 300130 天津市红桥区*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 实用新型为一种PIN二极管器件结构。该二极管器件结构包括以下两种:第一种,二极管器件结构沿着外延生长方向依次包括:P‑型欧姆电极、P‑型重掺杂半导体传输层、N‑型插入层、N‑型本征层、N‑型重掺杂半导体传输层和N‑型欧姆电极;或者,第二种,二极管器件结构沿着外延生长方向依次包括:N‑型欧姆电极、N‑型重掺杂半导体传输层、N‑型本征层、N‑型插入层、P‑型重掺杂半导体传输层以及P‑型欧姆电极。本实用新型中利用极化效应的PIN二极管器件,生产成本低,制作工艺简单,正向工作性能好,实现了低于未利用化效应PIN器件106的漏电流,且击穿电压也由348V增加到747V,反向性能得到了极大提升。
搜索关键词: 欧姆电极 传输层 重掺杂 二极管器件 半导体 外延生长方向 本实用新型 器件结构 本征层 插入层 生产成本低 工作性能 击穿电压 极化效应 制作工艺 漏电流 正向
【主权项】:
1.一种PIN二极管器件结构,其特征为该二极管器件结构包括以下两种:第一种,二极管器件结构沿着外延生长方向依次包括:P‑型欧姆电极、P‑型重掺杂半导体传输层、N‑型插入层、N‑型本征层、N‑型重掺杂半导体传输层和N‑型欧姆电极;或者,第二种,二极管器件结构沿着外延生长方向依次包括:N‑型欧姆电极、N‑型重掺杂半导体传输层、N‑型本征层、N‑型插入层、P‑型重掺杂半导体传输层以及P‑型欧姆电极;所述N‑型插入层的材质为AlxGa1‑xN,其中,应保证各组分系数0≤x≤1,厚度为1nm~1μm。
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