[实用新型]半导体结构有效
| 申请号： | 201920400361.3 | 申请日： | 2019-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN209981209U | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 周源;张小麟;李静怡;王超;张志文;朱林迪;牛玉玮;郭艳华 | 申请（专利权）人： | 北京燕东微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66;H01L29/06 |
| 代理公司： | 11449 北京成创同维知识产权代理有限公司 | 代理人： | 蔡纯;张靖琳 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种半导体结构，该半导体结构用于形成多个器件和测试结构，该半导体结构包括：半导体衬底；外延层，位于半导体衬底的第一表面上；体区，为第一掺杂类型，位于外延层上；沟槽，由体区表面延伸至外延层内；隔离层，至少覆盖沟槽的部分表面；以及掺杂区，填充在沟槽内，掺杂区与外延层为第二掺杂类型，第二掺杂类型与第一掺杂类型相反，其中，在测试结构中，沟槽在体区内限定出体区岛，掺杂区和外延层被隔离层分隔以形成第一电容，掺杂区与体区岛被隔离层分隔以形成第二电容。该测试方法可以在同一半导体结构中检测测试结构的电学参数以估计半导体结构的工艺质量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体结构 外延层 掺杂类型 掺杂区 体区 测试结构 隔离层 电容 衬底 分隔 半导体 表面延伸 第一表面 电学参数 多个器件 填充 测试 检测 覆盖 申请 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，用于形成多个器件和测试结构，其特征在于，所述半导体结构包括：/n半导体衬底；/n外延层，位于所述半导体衬底的第一表面上；/n体区，为第一掺杂类型，位于所述外延层上；/n沟槽，由所述体区表面延伸至所述外延层内；/n隔离层，至少覆盖所述沟槽的部分表面；以及/n掺杂区，填充在所述沟槽内，所述掺杂区与所述外延层为第二掺杂类型，所述第二掺杂类型与所述第一掺杂类型相反，/n其中，在所述测试结构中，所述沟槽在所述体区内限定出体区岛，所述掺杂区和所述外延层被所述隔离层分隔以形成第一电容，所述掺杂区与所述体区岛被所述隔离层分隔以形成第二电容。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京燕东微电子科技有限公司，未经北京燕东微电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201920400361.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种防药水渗漏的半导体引线框架
- 下一篇：一种LED芯片裸晶测试结构
