[实用新型]方形螺旋硅漂移探测器有效
| 申请号： | 201920424776.4 | 申请日： | 2019-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN209896073U | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 李正;唐立鹏 | 申请（专利权）人： | 湖南正芯微电子探测器有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/115;H01L31/18 |
| 代理公司： | 43210 长沙新裕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 周跃仁 |
| 地址： | 411000 湖南省湘潭市*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种方形螺旋硅漂移探测器，包括正面设有圆形的n+收集阳极、方形螺旋阴极和正面保护环的基片，方形螺旋阴极环绕n+收集阳极分布，且方形螺旋阴极的宽度由内向外逐渐变宽，正面保护环环绕螺旋阴极分布；基片反面设有反面电极、入射窗口和反面保护环，入射窗口和反面电极紧密相连且均位于反面保护环内，反面电极极性为阴极。方形螺旋阴极的宽度范围为10～40μm，正面保护环的圈数为3圈。n+收集阳极与螺旋阴极掺杂类型相反，但掺杂浓度数量级相同，反面电极与方形螺旋形电极的掺杂类型和掺杂浓度数量级均相同，基片与n+收集阳极的掺杂类型相同。n+收集阳极为掺杂硼硅，方形螺旋阴极为掺杂磷硅。 | ||
| 搜索关键词： | 方形螺旋 阴极 阳极 反面电极 掺杂类型 正面保护 掺杂 浓度数量级 螺旋阴极 入射窗口 环绕 硅漂移探测器 本实用新型 基片反面 紧密相连 由内向外 逐渐变宽 电极 磷硅 硼硅 圈数 | ||
【主权项】：
1.方形螺旋硅漂移探测器，其特征在于，包括基片(9)，基片(9)正面设有圆形的n+收集阳极(5)、方形螺旋阴极(6)和形状为圆角矩形的正面保护环(10)，方形螺旋阴极(6)环绕n+收集阳极(5)分布，且方形螺旋阴极(6)的宽度由内向外逐渐变宽，正面保护环(10)环绕方形螺旋阴极(6)分布；基片(9)反面设有反面电极、入射窗口(8)和形状为圆角矩形的反面保护环(7)，入射窗口(8)和反面电极紧密相连且均位于反面保护环(7)内，且反面电极极性为阴极。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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