[实用新型]低触发可调控维持电压双向静电释放器件

摘要

本实用新型公开了一种低触发可调控维持电压双向静电释放器件，包括P型衬底；P型衬底上设有第一、第二N阱；第一N阱中设有第一N+注入区、第一P+注入区，第二N阱中设有第四P+注入区、第四N+注入区，第二P+注入区横跨第一N阱和P型衬底，第三P+注入区横跨P型衬底和第二N阱；第二P+注入区与第三P+注入区之间设有第二、第三N+注入区；第一多晶硅栅位于第一、第二P+注入区之间；第二多晶硅栅位于第二、第三N+注入区之间；第三多晶硅栅位于第三、第四P+注入区之间。本实用新型在传统双向SCR中间嵌入NMOS管，通过给GATE不同的栅压调控器件的维持电压，可降低维持电压来箝住ESD脉冲。

主权项

1.一种低触发可调控维持电压双向静电释放器件，其特征在于：包括P型衬底、第一多晶硅栅、第二多晶硅栅、第三多晶硅栅、第一至第四P+注入区、第一至第四N+注入区；所述P型衬底从左至右设有第一N阱、第二N阱；所述第一N阱中从左至右设有第一N+注入区、第一P+注入区，第一N+注入区左侧设有第一场氧隔离区；所述第二N阱中从左至右设有第四P+注入区、第四N+注入区，第四N+注入区右侧设有第二场氧隔离区；所述第二P+注入区横跨在第一N阱和P型衬底的交界处；所述第三P+注入区横跨在P型衬底和第二N阱的交界处；所述P型衬底上位于第二P+注入区与第三P+注入区之间的位置处从左至右设有第二N+注入区、第三N+注入区；所述第一多晶硅栅位于第一N阱之上，第一P+注入区和第二P+注入区之间；所述第二多晶硅栅位于P型衬底之上，第二N+注入区和第三N+注入区之间；所述第三多晶硅栅位于第二N阱之上，第三P+注入区和第四P+注入区之间。