[实用新型]绝缘栅双极型晶体管以及电子设备有效
| 申请号： | 201920447809.7 | 申请日： | 2019-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN209592045U | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 秦博;肖秀光 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司;深圳比亚迪微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 赵天月 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了绝缘栅双极型晶体管及电子设备。该绝缘栅双极型晶体管包括：集电区、漂移区和基区，发射区，所述发射区位于所述基区在远离所述漂移区的一侧；栅极结构，所述栅极结构位于所述基区远离所述漂移区的一侧，覆盖所述基区的部分表面且与所所述发射区相接触；发射电极，所述发射电极位于所述栅极结构远离所述基区的一侧，且与所述栅极结构绝缘设置，并与所述基区相接触，电阻层，所述电阻层位于所述基区远离所述漂移区的一侧，所述电阻层与所述发射电极、所述发射区和所述基区接触，并与所述栅极结构之间绝缘设置。缘栅双极型晶体管结构简单，电阻层无需额外引入构图工艺形成，可防止器件发生闩锁。 | ||
| 搜索关键词： | 基区 栅极结构 电阻层 发射区 漂移区 绝缘栅双极型晶体管 发射电极 电子设备 绝缘设置 双极型晶体管结构 本实用新型 构图工艺 集电区 闩锁 引入 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，包括：集电区、漂移区和基区，所述漂移区靠近所述集电区，且所述基区位于所述漂移区远离所述集电区的一侧；发射区，所述发射区位于所述基区在远离所述漂移区的一侧；栅极结构，所述栅极结构位于所述基区远离所述漂移区的一侧，覆盖所述基区的部分表面且与所述发射区相接触；发射电极，所述发射电极位于所述栅极结构远离所述基区的一侧，且与所述栅极结构绝缘设置，并与所述基区相接触，电阻层，所述电阻层位于所述基区远离所述漂移区的一侧，所述电阻层与所述发射电极、所述发射区和所述基区接触，并与所述栅极结构之间绝缘设置。
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