[实用新型]晶圆清洗机台有效
| 申请号： | 201920451585.7 | 申请日： | 2019-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN209487474U | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 吕慧超;高英哲;刘家桦 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种晶圆清洗机台，所述晶圆清洗机台包括：晶圆清洗槽、排液装置及清洗装置；晶圆清洗槽中的第一清洗液体覆盖位于晶圆清洗槽中的晶圆；排液装置包括分别与晶圆清洗槽相连通的第一排液装置及第二排液装置；清洗装置包括位于晶圆清洗槽上方的清洗喷头，清洗喷头提供第二清洗液体，且第二清洗液体形成的液面覆盖晶圆。本实用新型通过与晶圆清洗槽相连通的排液装置，实现快速排除晶圆清洗槽中的第一清洗液体，提高排液效率；通过清洗装置提供的第二清洗液体，可及时对晶圆进行清洗，从而提高晶圆的清洗效果，提高晶圆的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆清洗 排液装置 清洗 晶圆 清洗装置 机台 本实用新型 清洗喷头 排液效率 清洗机台 清洗效果 液面覆盖 液体覆盖 液体形成 种晶 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆清洗机台，其特征在于，所述晶圆清洗机台包括：晶圆清洗槽，所述晶圆清洗槽中的第一清洗液体覆盖位于所述晶圆清洗槽中的晶圆；排液装置，所述排液装置包括分别与所述晶圆清洗槽相连通的第一排液装置及第二排液装置；清洗装置，所述清洗装置包括位于所述晶圆清洗槽上方的清洗喷头，所述清洗喷头提供第二清洗液体，且所述第二清洗液体形成的液面覆盖所述晶圆。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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