[实用新型]半导体结构有效
| 申请号： | 201920458860.8 | 申请日： | 2019-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN209981168U | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 董鹏 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033 |
| 代理公司： | 31260 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种半导体结构，包括：基底以及位于所述基底上的若干分立的牺牲层；位于所述牺牲层侧壁表面的缓冲层，所述缓冲层的材料含有有机基团以及无机成分；位于所述缓冲层表面的侧墙层，且所述缓冲层位于所述侧墙层与所述牺牲层之间。本实用新型能够改善自对准图形的图形质量，提高半导体生产良率。 | ||
| 搜索关键词： | 缓冲层 牺牲层 本实用新型 侧墙层 基底 半导体结构 半导体生产 缓冲层表面 侧壁表面 有机基团 自对准 分立 良率 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：/n基底以及位于所述基底上的若干分立的牺牲层；/n位于所述牺牲层侧壁表面的缓冲层，所述缓冲层的材料含有有机基团以及无机成分；/n位于所述缓冲层表面的侧墙层，且所述缓冲层位于所述侧墙层与所述牺牲层之间。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司，未经长鑫存储技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201920458860.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：环保氙气红外白光一体闪光灯管
- 下一篇：一种淬硬性材料研抛机抛头的防落锁装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
