[实用新型]晶圆清洗装置有效
| 申请号： | 201920459687.3 | 申请日： | 2019-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN209496831U | 公开（公告）日： | 2019-10-15 |
| 发明（设计）人： | 王永昌;叶日铨;刘家桦;张文福 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 该实用新型涉及一种晶圆清洗装置，包括：清洗腔，用于清洗晶圆，且清洗腔内设置有晶圆放置位，用于放置晶圆，且晶圆放置位能够绕晶圆放置位的中心轴转动，以甩脱放置至晶圆放置位的晶圆表面的清洗液；清洗液收容设备，设置于清洗腔内，包括：清洗液收容壁，用于收容清洗液，包括内壁和外壁，其中内壁表面设置有通气孔，且内壁和外壁构成密闭空间；真空泵，连通至密闭空间，用于对密闭空间抽真空，使密闭空间内的气压小于外界气压；清洗液收容壁环绕晶圆放置位设置，且内壁朝向晶圆放置位。本实用新型的晶圆清洗装置可以防止溅射至清洗液收容壁的清洗液被清洗液收容壁弹回，还可以防止清洗液的回溅对晶圆造成的二次污染，提高晶圆生产的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 清洗液 放置位 密闭空间 收容壁 清洗腔 内壁 晶圆清洗装置 外壁 收容 弹回 本实用新型 中心轴转动 二次污染 晶圆表面 内壁表面 清洗装置 外界气压 抽真空 通气孔 真空泵 溅射 良率 气压 种晶 连通 清洗 环绕 生产 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆清洗装置，其特征在于，包括：清洗腔，用于清洗晶圆，且所述清洗腔内设置有晶圆放置位，用于放置晶圆，且所述晶圆放置位能够绕所述晶圆放置位的中心轴转动，以甩脱放置至所述晶圆放置位的晶圆表面的清洗液；清洗液收容设备，设置于所述清洗腔内，包括：清洗液收容壁，用于收容清洗液，包括内壁和外壁，其中内壁表面设置有通气孔，且所述内壁和外壁构成密闭空间；真空泵，连通至所述密闭空间，用于对所述密闭空间抽真空，使所述密闭空间内的气压小于外界气压；所述清洗液收容壁环绕所述晶圆放置位设置，且所述内壁朝向所述晶圆放置位。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
