[实用新型]光伏电池有效
| 申请号： | 201920472803.5 | 申请日： | 2019-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN209747525U | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 邓伟伟;蒋方丹;陆钢;邢国强 | 申请（专利权）人： | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;常熟阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/0236 |
| 代理公司： | 11415 北京博思佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 林祥<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 215129 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种光伏电池，设有硅衬底、形成在硅衬底表面的第一膜层、覆盖于第一膜层表面的第二膜层以及形成于第二膜层表面的第三膜层，所述第一膜层含氧化硅且直接与硅衬底接触，所述第二膜层含氧化铝且直接与第一膜层接触，所述第三膜层含氢且直接与第二膜层接触。本实用新型通过含氧化硅(SiO2)的第一膜层、含氧化铝(Al2O3)的第二膜层、以及含氢(H)的第三膜层，通过这三层的共同作用实现更好的表面钝化效果，氧化硅(SiO2)本身的致密性优于氧化铝(Al2O3)，一定程度上可以降低PID风险，氧化铝(Al2O3)的界面钝化可借助氧化硅(SiO2)来共同完成，实现更好的钝化效果。 | ||
| 搜索关键词： | 膜层 第一膜层 氧化硅 氧化铝 本实用新型 硅衬底 表面钝化效果 硅衬底表面 钝化效果 光伏电池 界面钝化 膜层表面 作用实现 致密性 三层 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种光伏电池，其特征在于，设有硅衬底、形成在硅衬底表面的第一膜层、覆盖于第一膜层表面的第二膜层以及形成于第二膜层表面的第三膜层，所述第一膜层含氧化硅且直接与硅衬底接触，所述第二膜层含氧化铝且直接与第一膜层接触，所述第三膜层含氢且直接与第二膜层接触。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
