[实用新型]波导镜有效
| 申请号： | 201920479305.3 | 申请日： | 2019-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN209803375U | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | H.尼卡南;J.P.德拉克;E.科;D.莱罗塞;S.L.马克拉;A.S.纳格拉 | 申请（专利权）人： | 洛克利光子有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/10 | 分类号： | G02B6/10;G02B6/125;G02B6/136 |
| 代理公司： | 72001 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 李湘;闫小龙 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 一种镜子及其制造方法，所述方法包括：提供绝缘体上硅衬底，所述衬底包括：硅支撑层；在所述硅支撑层顶部的掩埋氧化物（BOX）层；在所述BOX层顶部的硅器件层；在所述硅器件层中形成通孔，所述通孔延伸到所述BOX层；从所述通孔处开始蚀刻掉所述BOX层的一部分，并沿第一方向背离所述通孔横向延伸，以在所述硅器件层和所述硅支撑层之间形成沟道；通过所述沟道将各向异性蚀刻施加到与所述沟道相邻的所述硅器件层和所述硅支撑层的区域；所述各向异性蚀刻跟随所述硅器件层和所述硅支撑层的取向平面，以在所述硅器件层的悬垂部分下方形成空腔；所述悬垂部分限定平坦的下侧表面，用于将光竖直地耦合进出所述硅器件层；以及将金属涂层施加在所述下侧表面上。 | ||
| 搜索关键词： | 硅器件层 硅支撑层 通孔 沟道 各向异性蚀刻 下侧表面 悬垂 衬底 施加 蚀刻 绝缘体上硅 掩埋氧化物 横向延伸 金属涂层 取向平面 耦合 空腔 竖直 镜子 平坦 背离 延伸 制造 | ||
【主权项】：
1.一种硅光子镜，其包括：/n硅支撑层；在所述硅支撑层顶部的掩埋氧化物BOX层；在所述BOX层顶部的硅器件层；/n空腔，所述空腔延伸穿过所述硅器件层、所述BOX层和所述硅支撑层的区域；所述空腔的壁包括由所述硅器件层的悬垂部分限定的平坦的下侧表面，所述平坦的下侧表面用于将光竖直地耦合到所述硅器件层中和从所述硅器件层中竖直地耦合出；以及/n金属表面，所述金属表面施加到所述平坦的下侧表面。/n
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